Nikalyte NL-UHV超高真空納米顆粒沉積源

產(chǎn)品編號(hào)：Nikalyte NL-UHV超高真空納米顆粒沉積源

類別：制造、納米顆粒沉積、技術(shù)

NL-UHV能夠在超真空中生成和沉積納米顆粒，以在樣品上創(chuàng)建功能化表面。 可以通過(guò)精確控制納米顆粒的尺寸、組成和結(jié)構(gòu)來(lái)定制納米顆粒涂層的特性，從而實(shí)現(xiàn)定制化特性。

NL-UHV儀器允許將超純納米顆粒直接沉積在各種基底和材料上。可以調(diào)整膜的密度，并且涂層能夠很好地附著在樣品表面。 NL-UHV有多種配置可供選擇，包括單個(gè)1英寸和2英寸源，以及三重1英寸源NL-DX3，后者允許單獨(dú)或作為合金沉積多達(dá)三種材料。 NL-QMS質(zhì)量過(guò)濾器提供了對(duì)納米顆粒沉積的高級(jí)控制，允許實(shí)時(shí)按質(zhì)量或直徑掃描或過(guò)濾納米顆粒。 NL-QMS通過(guò)用戶友好的WindowsTM軟件操作，為沉積過(guò)程提供了直觀的控制。

介紹超真空-合金納米顆粒沉積 Nikalyte NL-UHV，合金納米顆粒沉積儀器系列，能夠在超真空中將納米顆粒生成并沉積到您的樣品上，以創(chuàng)建功能化表面。通過(guò)精確控制納米顆粒的尺寸、組成和結(jié)構(gòu)，可以定制納米顆粒涂層的特性。

與化學(xué)技術(shù)不同，NL-UHV系列儀器允許將超純納米顆粒直接沉積在各種基底和材料上。可以調(diào)整膜的密度，且膜本身可以高度附著在樣品表面。

NL-UHV可配備單個(gè)1英寸、2英寸源或三重1英寸源NL-DX3。NL-DX3允許使用兩種或三種材料同時(shí)單獨(dú)或作為合金沉積多達(dá)三種材料。

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)納米顆粒沉積的控制，Nikalyte NL-QMS質(zhì)量過(guò)濾器允許實(shí)時(shí)按質(zhì)量或納米顆粒直徑掃描或過(guò)濾沉積的納米顆粒，使您能夠優(yōu)化生長(zhǎng)條件。NL-QMS通過(guò)

我們簡(jiǎn)單直觀的WindowsTM軟件進(jìn)行控制。

納米涂層孔隙率

NL-UHV能夠生成帶電和不帶電的納米顆粒，但大部分納米顆粒帶有負(fù)電荷。納米顆粒的帶電狀態(tài)意味著它們可以通過(guò)靜電操縱，無(wú)論是聚焦、偏轉(zhuǎn)還是加速。通過(guò)在樣品上施加正加速偏壓，可以控制沉積的納米顆粒層的孔隙率。對(duì)于低加速偏壓（約幾百伏），納米顆粒會(huì)輕柔地著陸并形成高度多孔的層。在更高的加速能量（約1千伏）下，納米顆粒會(huì)經(jīng)歷一定程度的界面混合，并且更牢固地附著在基底上。在非常高的加速能量下，沉積的納米顆粒層會(huì)恢復(fù)到塊體特性，對(duì)于軟基底，甚至可以植入基底材料中。 通過(guò)控制加速偏壓和選擇基底材料，可以創(chuàng)建一系列不同的涂層，從輕柔著陸的納米多孔層（適用于 delicate substrates，如 polymers 和 graphene）到高度附著的，甚至在某些情況下植入的納米顆粒涂層。通過(guò)在整個(gè)沉積過(guò)程中改變加速偏壓，也可以創(chuàng)建具有梯度孔隙率的涂層。

納米顆粒結(jié)構(gòu)

納米涂層通常是由晶體或非晶態(tài)納米顆粒組成的三維材料。 納米顆粒的結(jié)構(gòu)因其尺寸而受到強(qiáng)烈影響，因?yàn)槠浔砻婺芘c二維或塊體材料相比更強(qiáng)。 納米顆粒在聚集區(qū)的停留時(shí)間和等離子體溫度也在形成過(guò)程中發(fā)揮作用。 通過(guò)調(diào)整磁控管功率、聚集長(zhǎng)度和氣體流量等工藝參數(shù)，可以形成不同的納米顆粒結(jié)構(gòu)。 NL-UHV冷卻夾套還提供了選擇水冷或液氮冷卻的選項(xiàng)。 使用液氮冷卻可以對(duì)聚集區(qū)的溫度進(jìn)行更廣泛的控制，這對(duì)于在極低溫度下成核（形成納米顆粒）的材料（如硅）特別有用。 研究表明，液氮可以將硅的沉積速率提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)。